Параметры симуляции
Опишите сценарий и выберите физико-химические параметры.
Домен
Семейство
Метод
Температура, K900 K
Давление, Torr3 Torr
Мощность плазмы, W250 W
Время, мин60 мин
Подложка (индекс)0.6
Вес дефектов0.3
Деформация, %1.5 %
Домен(ы) для сравнения
Фрактальная размерность D2.5
D = 2.5
Чувствительности q_k
q1:80%q2:70%q3:60%
Ограничения m_k
m1:1.00m2:0.80m3:1.20
Сводка
Итоги последнего прогона.
Сценарий
Синтез высокопроводящего 2D карбида с квантовыми эффектами при низком давлении.
Лучший шаг
—
Резонанс
0
Успех
0%
Итераций
0
ω_res
0
P_total
0%
Динамика резонанса и успеха
Свойства vs Цели
P_total
Общая вероятность успеха
Лучший образец
Гексагональная решётка
Интенсивность свечения ~ вероятности успеха.
Сравнение методов
Средние метрики по выбранным доменам
chemistryphysicsnanotech
| Метод | ω_res | P_total |
|---|---|---|
| CVD | 0.87 | 99% |
| Mechanical Exfoliation | 0.87 | 99% |
| Liquid-phase Exfoliation | 0.87 | 99% |
| MBE | 0.87 | 99% |
Методики синтеза
Пошаговые рекомендации на основе выбранного метода.
1
Подготовьте подложку (Cu, Ni, SiO2/Si) и проведите очистку плазмой
2
Подавайте прекурсор (например, CH4, H2S, MoO3) при контролируемой температуре
3
Установите давление и поток газа, стабилизируйте плазму при необходимости
4
Рост слоя до целевой толщины; следите за дефектами через in-situ спектроскопию
5
Охладите и выполните перенос на целевую подложку при необходимости
История
Последние 20 симуляций
Теги:
нет тегов- Нет записей
Примечания
Симулятор использует гибридный резонансный алгоритм (HRA) и детерминированноесемя на основе текста сценария для воспроизводимости.
- Резонансная частота f_r ∝ sqrt(E/ρ) · coupling · (1+η)^{-1}
- Вероятность успеха вычисляется как σ(6·z), где z — взвешенное выравнивание и f_r
- Цели автоматически извлекаются из сценария (простое NLP)